English
Spain
Rusia
Italy
GermanyBUK652R7-30C,127
元器件型号详细信息
原厂型号
BUK652R7-30C,127
摘要
MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
详情
通孔 N 通道 30 V 100A（Tc） 204W（Tc） TO-220AB
原厂/品牌
NXP USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
NXP USA Inc.
系列
TrenchMOS™
包装
管件
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.3 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.8V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
114 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
6960 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
204W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
BUK65
相关信息
RoHS 状态
不符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
954-BUK652R7-30C127
NEXNXPBUK652R7-30C,127
568-7494-5
934064251127
BUK652R7-30C,127-ND
BUK652R730C127
2156-BUK652R7-30C127-NX
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/NXP USA Inc. BUK652R7-30C,127
相关文档
规格书
1(BUK652R7-30C)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 31/Dec/2011)
PCN 封装
1(All Dev Label Update 15/Dec/2020)
HTML 规格书
1(BUK652R7-30C)
价格
-
替代型号
-