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GermanyBFU660F,115
元器件型号详细信息
原厂型号
BFU660F,115
摘要
RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFP
详情
RF 晶体管 NPN 5.5V 60mA 21GHz 225mW 表面贴装型 4-DFP
原厂/品牌
NXP USA Inc.
原厂到货时间
13 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
NXP USA Inc.
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
晶体管类型
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）
5.5V
频率 - 跃迁
21GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）
0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
增益
12dB ~ 21dB
功率 - 最大值
225mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
90 @ 10mA，2V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
60mA
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-343F
供应商器件封装
4-DFP
基本产品编号
BFU660
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
其它名称
2156-BFU660F,115
NXPNXPBFU660F,115
568-8454-2
568-8454-1
BFU660F,115-ND
568-8454-6
BFU660F115
934064611115
954-BFU660F115
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极（BJT）/双极射频晶体管/NXP USA Inc. BFU660F,115
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规格书
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产品培训模块
1(BFU6xx/7xx, 6th and 7th Generation Wideband Transistors)
环保信息
()
PCN 组装/来源
1(MFG Name Change Nexperia 5/Mar/2017)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(BFU660F)
价格
数量: 30000
单价: $1.54682
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
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