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GermanySIHFR1N60A-GE3
元器件型号详细信息
原厂型号
SIHFR1N60A-GE3
摘要
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252AA
详情
表面贴装型 N 通道 600 V 1.4A（Tc） 36W（Tc） TO-252AA
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
17 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
-
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7 欧姆 @ 840mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
14 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
229 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
36W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252AA
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
SIHFR1
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SIHFR1N60A-GE3CTINACTIVE
SIHFR1N60A-GE3CT-ND
SIHFR1N60A-GE3DKRINACTIVE
SIHFR1N60A-GE3DKR
SIHFR1N60A-GE3DKR-ND
SIHFR1N60A-GE3CT
SIHFR1N60A-GE3TR-ND
SIHFR1N60A-GE3TR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SIHFR1N60A-GE3
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规格书
1(IRFx1N60A, SIHFx1N60A)
价格
数量: 10000
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替代型号
型号 : IRFR1N60APBF
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 2,983
单价. : ¥12.32000
替代类型. : 参数等效
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