English
Spain
Rusia
Italy
GermanyMDS150
元器件型号详细信息
原厂型号
MDS150
摘要
RF TRANS NPN 60V 1.09GHZ 55AW
详情
RF 晶体管 NPN 60V 4A 1.03GHz ~ 1.09GHz 350W 底座安装 55AW
原厂/品牌
Microsemi Corporation
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1
供应商库存
技术参数
制造商
Microsemi Corporation
系列
-
包装
散装
产品状态
停产
晶体管类型
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）
60V
频率 - 跃迁
1.03GHz ~ 1.09GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）
-
增益
10dB
功率 - 最大值
350W
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
20 @ 500mA，5V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
4A
工作温度
200°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
55AW
供应商器件封装
55AW
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
其它名称
150-MDS150
MDS150-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极（BJT）/双极射频晶体管/Microsemi Corporation MDS150
相关文档
规格书
1(MDS150)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Devices 10/Aug/2017)
HTML 规格书
1(MDS150)
价格
-
替代型号
-