元器件型号详细信息

原厂型号
MT47H512M4EB-25E:C TR
摘要
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA
详情
SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb 并联 400 MHz 400 ps 60-FBGA(9x11.5)
原厂/品牌
Micron Technology Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,000

技术参数

制造商
Micron Technology Inc.
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
存储器类型
易失
存储器格式
DRAM
技术
SDRAM - DDR2
存储容量
2Gb
存储器组织
512M x 4
存储器接口
并联
时钟频率
400 MHz
写周期时间 - 字,页
15ns
访问时间
400 ps
电压 - 供电
1.7V ~ 1.9V
工作温度
0°C ~ 85°C(TC)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
60-TFBGA
供应商器件封装
60-FBGA(9x11.5)
基本产品编号
MT47H512M4

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3(168 小时)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.32.0036

其它名称

MT47H512M4EB-25E:C TR-ND
MT47H512M4EB-25E:CTR

所属分类/目录

/产品索引 /集成电路(IC)/存储器/存储器/Micron Technology Inc. MT47H512M4EB-25E:C TR

相关文档

规格书
1(MT47H512M4, 256M8, 128M16)
PCN 产品变更/停产
1(DRAM Dev EOL 8/Aug/2016)
PCN 组装/来源
1(Manufacturing Site Change 07/Feb/2014)
PCN 封装
()
EDA 模型
1(MT47H512M4EB-25E:C TR by Ultra Librarian)

价格

-

替代型号

型号 : MT47H128M8SH-25E:M TR
制造商 : Micron Technology Inc.
库存 : 0
单价. : ¥27.16045
替代类型. : 参数等效
型号 : MT47H256M8EB-25E:C TR
制造商 : Micron Technology Inc.
库存 : 0
单价. : ¥90.74814
替代类型. : 参数等效
型号 : AS4C256M8D2-25BCNTR
制造商 : Alliance Memory, Inc.
库存 : 0
单价. : ¥93.61010
替代类型. : 类似
型号 : W972GG8KS-25 TR
制造商 : Winbond Electronics
库存 : 0
单价. : ¥74.05334
替代类型. : 参数等效
型号 : AS4C128M8D2A-25BCNTR
制造商 : Alliance Memory, Inc.
库存 : 0
单价. : ¥35.70365
替代类型. : 参数等效