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GermanyBZD27B3V9P-HM3-18
元器件型号详细信息
原厂型号
BZD27B3V9P-HM3-18
摘要
DIODE ZENER 3.9V 800MW DO219AB
详情
二极管 - 齐纳 3.9 V 800 mW ±2% 表面贴装型 DO-219AB（SMF）
原厂/品牌
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
系列
Automotive, AEC-Q101, BZD27B-M
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
电压 - 齐纳（标称值）(Vz)
3.9 V
容差
±2%
功率 - 最大值
800 mW
阻抗（最大值）(Zzt)
8 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
5 µA @ 1 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.2 V @ 200 mA
工作温度
175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
DO-219AB
供应商器件封装
DO-219AB（SMF）
基本产品编号
BZD27B3V9
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0050
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/二极管/齐纳/单齐纳二极管/Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27B3V9P-HM3-18
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规格书
1(BZD27B-M Series)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Plating House Add 15/Jan/2021)
HTML 规格书
1(BZD27B-M Series)
价格
-
替代型号
-