元器件型号详细信息

原厂型号
SQS460EN-T1_GE3
摘要
MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 8A(Tc) 39W(Tc) PowerPAK® 1212-8
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
99 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
36 毫欧 @ 5.3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
20 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
755 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
39W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8
基本产品编号
SQS460

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

SQS460EN-T1-GE3
SQS460EN-T1_GE3DKR
SQS460EN-T1_GE3CT
SQS460EN-T1-GE3-ND
SQS460EN-T1_GE3TR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Vishay Siliconix SQS460EN-T1_GE3

相关文档

规格书
1(SQS460EN-T1-GE3)
PCN 组装/来源
1(SIL-054-2014-Rev-2 22/Sep/2014)
PCN 零件编号
1(New Ordering Code 19/Mar/2015)
HTML 规格书
1(SQS460EN-T1-GE3)
EDA 模型
1(SQS460EN-T1_GE3 by Ultra Librarian)

价格

数量: 3000
单价: $4.33914
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 1000
单价: $4.6491
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $5.88882
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $7.1287
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $9.142
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $10.26
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $4.6491
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $5.88882
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $7.1287
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $9.142
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $10.26
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : SQS460EN-T1_BE3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 64,204
单价. : ¥10.26000
替代类型. : 直接