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GermanyTSM2N7000KCT A3G
元器件型号详细信息
原厂型号
TSM2N7000KCT A3G
摘要
MOSFET N-CHANNEL 60V 300MA TO92
详情
通孔 N 通道 60 V 300mA（Ta） 400mW（Ta） TO-92
原厂/品牌
Taiwan Semiconductor Corporation
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,000
供应商库存
技术参数
制造商
Taiwan Semiconductor Corporation
系列
-
包装
剪切带（CT）
产品状态
allaboutcomponents.com 停止提供
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
300mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.4 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
60 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
400mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-92
封装/外壳
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
基本产品编号
TSM2N7000
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
TSM2N7000KCT A3GTB-ND
TSM2N7000KCT A3GCT-ND
TSM2N7000KCT A3GTB
TSM2N7000KCT A3GCT
TSM2N7000KCTA3GCT
TSM2N7000KCTA3GTB
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Taiwan Semiconductor Corporation TSM2N7000KCT A3G
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环保信息
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HTML 规格书
1(TSM2N7000K)
价格
-
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