元器件型号详细信息

原厂型号
DMT67M8LCG-7
摘要
MOSFET N-CH 60V 16A/64.6A 8DFN
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 16A(Ta),64.6A(Tc) 900mW(Ta) V-DFN3333-8(B 类)
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
40 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,000

技术参数

制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
16A(Ta),64.6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
5.7 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
37.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2130 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
900mW(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
V-DFN3333-8(B 类)
封装/外壳
8-PowerVDFN
基本产品编号
DMT67

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Diodes Incorporated DMT67M8LCG-7

相关文档

规格书
1(DMT67M8LCG)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021)

价格

数量: 10000
单价: $2.89594
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2000
数量: 6000
单价: $3.00906
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2000
数量: 2000
单价: $3.16744
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2000

替代型号

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