FCP125N65S3R0

元器件型号详细信息

原厂型号

FCP125N65S3R0

摘要

MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3

详情

通孔 N 通道 650 V 24A（Tc） 181W（Tc） TO-220-3

原厂/品牌

onsemi

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

50

供应商库存

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技术参数

制造商

onsemi

系列

SuperFET® III

包装

管件

产品状态

不适用于新设计

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

24A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

125 毫欧 @ 12A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 2.4mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

46 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

1940 pF @ 400 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

181W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-220-3

封装/外壳

TO-220-3

基本产品编号

FCP125

其它名称

FCP125N65S3R0OS

FCP125N65S3R0-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FCP125N65S3R0

价格

数量: 2000

单价: $18.51788
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $19.49246
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $23.11246
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $27.1502
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $33.134
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $36.89
包装: 管件
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : FCH125N65S3R0-F155

制造商 : onsemi
库存 : 415
单价. : ¥55.65000
替代类型. : 参数等效

型号 : TK25E60X,S1X

制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 13
单价. : ¥35.06000
替代类型. : 直接

型号 : IPP60R120C7XKSA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 486
单价. : ¥43.80000
替代类型. : 类似

型号 : STP40N65M2

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 57
单价. : ¥46.82000
替代类型. : 类似

型号 : SIHP28N65EF-GE3

制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 0
单价. : ¥27.12295
替代类型. : 类似

型号 : IPP60R125P6XKSA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥43.72000
替代类型. : 类似

型号 : IPP60R099C7XKSA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥49.92000
替代类型. : 类似

型号 : STP30N65M5

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 6,326
单价. : ¥52.94000
替代类型. : 类似

型号 : IPP60R120P7XKSA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 480
单价. : ¥33.07000
替代类型. : 类似

CPS16-NO00A10-SNCCWTNF-AI0CEVAR-W1032-S AP-MSD08GCA-1GTM 4-1734592-4 RCC08HEYS RNC55H6983BSBSL

FCP125N65S3R0

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