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GermanyNDD60N360U1T4G
元器件型号详细信息
原厂型号
NDD60N360U1T4G
摘要
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
详情
表面贴装型 N 通道 600 V 11A（Tc） 114W（Tc） DPAK
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
360 毫欧 @ 5.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
26 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
790 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
114W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DPAK
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
NDD60
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
ONSONSNDD60N360U1T4G
2156-NDD60N360U1T4G-ONTR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi NDD60N360U1T4G
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规格书
1(NDD60N360U1)
环保信息
1(onsemi RoHS)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Devices 01/Sep/2017)
PCN 设计/规格
1(NDD60NYYY 25/Jan/2017)
PCN 组装/来源
1(Mult Devices 29/Aug/2017)
HTML 规格书
1(NDD60N360U1)
EDA 模型
1(NDD60N360U1T4G by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : FCD9N60NTM
制造商 : onsemi
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型号 : TK12P60W,RVQ
制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 0
单价. : ¥8.33872
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