English
Spain
Rusia
Italy
GermanyFDN5618P_G
元器件型号详细信息
原厂型号
FDN5618P_G
摘要
MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
详情
表面贴装型 P 通道 60 V 1.25A（Ta） 500mW（Ta） SOT-23-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
PowerTrench®
包装
散装
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.25A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
170 毫欧 @ 1.25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
13.8 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
430 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23-3
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本产品编号
FDN561
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FDN5618P_G
相关文档
视频文件
1(Brushless DC Motor Control | Datasheet Preview)
环保信息
1(onsemi RoHS)
特色产品
1(ON Semiconductor - 30 V to 60 V Trench6 N-Channel MOSFET)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Devices 17/Apr/2017)
价格
-
替代型号
型号 : NVR5124PLT1G
制造商 : onsemi
库存 : 2,250
单价. : ¥3.74000
替代类型. : 类似
库存 : 2,250
单价. : ¥3.74000
替代类型. : 类似