元器件型号详细信息

原厂型号
ISP650P06NMXTSA1
摘要
MOSFET P-CH 60V 3.7A SOT223-4
详情
表面贴装型 P 通道 60 V 3.7A(Ta) 1.8W(Ta),4.2W(Tc) PG-SOT223-4
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
48 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.7A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
65 毫欧 @ 3.7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1.037mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
39 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1600 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.8W(Ta),4.2W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-SOT223-4
封装/外壳
TO-261-4,TO-261AA
基本产品编号
ISP650

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

448-ISP650P06NMXTSA1DKR
ISP650P06NMXTSA1-ND
SP004987266
448-ISP650P06NMXTSA1CT
448-ISP650P06NMXTSA1TR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies ISP650P06NMXTSA1

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规格书
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环保信息
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价格

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