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GermanyIXTQ32P20T
元器件型号详细信息
原厂型号
IXTQ32P20T
摘要
MOSFET P-CH 200V 32A TO3P
详情
通孔 P 通道 200 V 32A（Tc） 300W（Tc） TO-3P
原厂/品牌
IXYS
原厂到货时间
53 周
EDA/CAD 模型
标准包装
30
供应商库存
技术参数
制造商
IXYS
系列
TrenchP™
包装
管件
Product Status
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
32A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
130 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
185 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
14500 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
300W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-3P
封装/外壳
TO-3P-3，SC-65-3
基本产品编号
IXTQ32
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/IXYS IXTQ32P20T
相关文档
环保信息
1(Ixys IC REACH)
PCN 设计/规格
1(Multiple Devices Material 23/Jun/2020)
价格
数量: 30
单价: $48.40767
包装: 管件
最小包装数量: 30
包装: 管件
最小包装数量: 30
替代型号
-