元器件型号详细信息

原厂型号
NTTFS5826NLTWG
摘要
MOSFET N-CH 60V 8A 8WDFN
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 8A(Ta) 3.1W(Ta),19W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000

技术参数

制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
24 毫欧 @ 7.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
25 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
850 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
3.1W(Ta),19W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-WDFN(3.3x3.3)
封装/外壳
8-PowerWDFN
基本产品编号
NTTFS5

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

ONSONSNTTFS5826NLTWG
2156-NTTFS5826NLTWG-ONTR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/onsemi NTTFS5826NLTWG

相关文档

规格书
1(NTTFS5826NL)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 20/Jan/2015)
HTML 规格书
1(NTTFS5826NL)
EDA 模型
1(NTTFS5826NLTWG by Ultra Librarian)

价格

-

替代型号

-