元器件型号详细信息

原厂型号
IRFHM8330TRPBF
摘要
MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 16A(Ta) 2.7W(Ta),33W(Tc) 8-PQFN(3.3x3.3),Power33
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
4,000

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
16A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
6.6 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.35V @ 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
20 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1450 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.7W(Ta),33W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-PQFN(3.3x3.3),Power33
封装/外壳
8-PowerTDFN

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

IRFHM8330TRPBFDKR
IRFHM8330TRPBFTR
IRFHM8330TRPBF-ND
SP001556548
IRFHM8330TRPBFCT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies IRFHM8330TRPBF

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规格书
1(IRFHM8330PBF)
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1(Discrete Power MOSFETs 40V and Below)
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1(Data Processing Systems)
HTML 规格书
1(IRFHM8330PBF)
EDA 模型
1(IRFHM8330TRPBF by Ultra Librarian)
仿真模型
1(IRFHM8330PBF Spice Model)

价格

-

替代型号

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型号 : CSD17578Q3A
制造商 : Texas Instruments
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单价. : ¥11.53000
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制造商 : onsemi
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单价. : ¥12.32000
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单价. : ¥6.89000
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