元器件型号详细信息

原厂型号
2SK2963(TE12L,F)
摘要
MOSFET N-CH 100V 1A PW-MINI
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 1A(Ta) 500mW(Ta) PW-MINI
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000

技术参数

制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
700 毫欧 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
6.3 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
140 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
500mW(Ta)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PW-MINI
封装/外壳
TO-243AA
基本产品编号
2SK2963

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

其它名称

2SK2963DKR
2SK2963 (TE12L,F)
2SK2963FCT
2SK2963DKR-ND
2SK2963TE12LF
2SK2963(TE12L)-NDR
2SK2963FDKR
2SK2963FTR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2963(TE12L,F)

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