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GermanySSM3J112TU,LF
元器件型号详细信息
原厂型号
SSM3J112TU,LF
摘要
MOSFET P-CH 30V 1.1A UFM
详情
表面贴装型 P 通道 30 V 1.1A（Ta） 800mW（Ta） UFM
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
390 毫欧 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.8V @ 100µA
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
86 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
800mW（Ta）
工作温度
150°C
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
UFM
封装/外壳
3-SMD，扁平引线
基本产品编号
SSM3J112
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
264-SSM3J112TU,LFCT
SSM3J112TULF-ND
264-SSM3J112TU,LFTR
SSM3J112TULF
264-SSM3J112TU,LFDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J112TU,LF
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价格
数量: 75000
单价: $0.57483
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