元器件型号详细信息

原厂型号
STD8N60DM2
摘要
MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
详情
表面贴装型 N 通道 600 V 8A(Tc) 85W(Tc) DPAK
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
STMicroelectronics
系列
MDmesh™ DM2
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
600 毫欧 @ 4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
13.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
375 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
85W(Tc)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DPAK
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
基本产品编号
STD8

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

497-16930-2
497-16930-1
497-16930-6

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/STMicroelectronics STD8N60DM2

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1(Assembly Site 22/Dec/2022)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(STD8N60DM2 Datasheet)
EDA 模型
1(STD8N60DM2 by Ultra Librarian)

价格

数量: 2500
单价: $5.45869
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 1000
单价: $5.84858
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $7.4082
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
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包装: 剪切带(CT)
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最小包装数量: 1

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