元器件型号详细信息

原厂型号
RJP65T43DPQ-A0#T2
摘要
IGBT TRENCH 650V 60A TO247A
详情
IGBT 沟道 650 V 60 A 150 W 通孔 TO-247A
原厂/品牌
Renesas Electronics America Inc
原厂到货时间
18 周
EDA/CAD 模型
标准包装
25

技术参数

制造商
Renesas Electronics America Inc
系列
-
包装
管件
产品状态
在售
IGBT 类型
沟道
电压 - 集射极击穿(最大值)
650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
60 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.4V @ 15V,20A
功率 - 最大值
150 W
开关能量
170µJ(开),130µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
69 nC
25°C 时 Td(开/关)值
35ns/105ns
测试条件
400V,20A,10 欧姆,15V
工作温度
175°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247A
基本产品编号
RJP65T43

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/Renesas Electronics America Inc RJP65T43DPQ-A0#T2

相关文档

规格书
1(RJP65T43DPQ-A0)
PCN 封装
1(Label Change-All Devices 01/Dec/2022)
EDA 模型
1(RJP65T43DPQ-A0#T2 by Ultra Librarian)

价格

数量: 1000
单价: $17.6708
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $18.61884
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $21.8718
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $26.696
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $29.73
包装: 管件
最小包装数量: 1

替代型号

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