元器件型号详细信息

原厂型号
PMV117EN,215
摘要
MOSFET N-CH 30V 2.5A TO236AB
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 2.5A(Tc) 830mW(Tc) SOT-23(TO-236AB)
原厂/品牌
NXP USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
NXP USA Inc.
系列
TrenchMOS™
包装
卷带(TR)
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
117 毫欧 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
4.6 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
147 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
830mW(Tc)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23(TO-236AB)
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
基本产品编号
PMV1

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

其它名称

568-8111-2
PMV117EN T/R
934057733215
PMV117EN T/R-ND
PMV117EN,215-ND
954-PMV117EN215
568-8111-1
2156-PMV117EN,215
NEXNXPPMV117EN,215
568-8111-6

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/NXP USA Inc. PMV117EN,215

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1(PMV117EN)
环保信息
()
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1(Multiple Devices 03/Jul/2013)
PCN 封装
1(All Dev Label Update 15/Dec/2020)
HTML 规格书
1(PMV117EN)
EDA 模型
1(PMV117EN by Ultra Librarian)

价格

-

替代型号

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库存 : 0
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型号 : ZXMN3A01FTA
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库存 : 0
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制造商 : onsemi
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库存 : 119,627
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型号 : NTR4503NT1G
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥3.50000
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制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
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库存 : 143,307
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制造商 : Diodes Incorporated
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单价. : ¥3.82000
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