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元器件型号详细信息
原厂型号
TK40J20D,S1F(O
摘要
MOSFET N-CH 200V 40A TO3P
详情
通孔 N 通道 200 V 40A（Ta） 260W（Tc） TO-3P（N）
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
100
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
π-MOSVIII
包装
托盘
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
40A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
44 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
100 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4300 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
260W（Tc）
工作温度
150°C
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-3P（N）
封装/外壳
TO-3P-3，SC-65-3
基本产品编号
TK40J20
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Toshiba Semiconductor and Storage TK40J20D,S1F(O
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