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Germany19MT050XF
元器件型号详细信息
原厂型号
19MT050XF
摘要
MOSFET 4N-CH 500V 31A MTP
详情
MOSFET - 阵列 500V 31A 1140W 底座安装 16-MTP
原厂/品牌
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
15
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
系列
HEXFET®
包装
散装
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
4 N 沟道（半桥）
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
500V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
31A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
220 毫欧 @ 19A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
6V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
160nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
7210pF @ 25V
功率 - 最大值
1140W
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
16-MTP 模块
供应商器件封装
16-MTP
基本产品编号
19MT050
相关信息
RoHS 状态
不符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Vishay General Semiconductor - Diodes Division 19MT050XF
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规格书
1(19MT050XF)
HTML 规格书
1(19MT050XF)
价格
-
替代型号
-