元器件型号详细信息

原厂型号
DMN3005LK3-13
摘要
MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 14.5A(Ta) 1.68W(Ta) TO-252-3
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
allaboutcomponents.com 停止提供
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
14.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
5 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
46.9 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
4342 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.68W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252-3
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
基本产品编号
DMN3005

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

1034-DMN3005LK3-13DIDKR
DMN3005LK3-13DIDKR
DMN3005LK3-13DICT
DMN3005LK3-13DITR
1034-DMN3005LK3-13DITR
1034-DMN3005LK3-13DICT
DMN3005LK313

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Diodes Incorporated DMN3005LK3-13

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规格书
1(DMN3005LK3)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
HTML 规格书
1(DMN3005LK3)

价格

-

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