最后更新
20250502
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元器件资讯
库存查询
IPP410N30NAKSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPP410N30NAKSA1
摘要
MOSFET N-CH 300V 44A TO220-3
详情
通孔 N 通道 300 V 44A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
40 周
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
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技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
44A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
41 毫欧 @ 44A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 270µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
87 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
7180 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
300W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
IPP410
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SP001082134
IPP410N30NAKSA1-ND
448-IPP410N30NAKSA1
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies IPP410N30NAKSA1
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规格书
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特色产品
1(Data Processing Systems)
仿真模型
1(OptiMOS™ Power MOSFET 300V N-Channel Spice Model)
价格
数量: 1000
单价: $45.47487
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $52.21194
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