元器件型号详细信息

原厂型号
NJVMJD117T4G
摘要
TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
详情
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP - 达林顿 100 V 2 A 25MHz 1.75 W 表面贴装型 DPAK
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
最后售卖
晶体管类型
PNP - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
2 A
电压 - 集射极击穿(最大值)
100 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
3V @ 40mA,4A
电流 - 集电极截止(最大值)
20µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
1000 @ 2A,3V
功率 - 最大值
1.75 W
频率 - 跃迁
25MHz
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装
DPAK
基本产品编号
NJVMJD117

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

488-NJVMJD117T4GTR
ONSONSNJVMJD117T4G
488-NJVMJD117T4GDKR
488-NJVMJD117T4GCT
NJVMJD117T4G-ND
2156-NJVMJD117T4G-OS

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极(BJT)/单双极晶体管/onsemi NJVMJD117T4G

相关文档

规格书
1(MJD112,117)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Obsolete Notice 15/Dec/2022)
PCN 组装/来源
1(NJVN/NJVM/SJD 10/Jul/2017)
HTML 规格书
1(MJD112,117)
EDA 模型
1(NJVMJD117T4G by Ultra Librarian)

价格

-

替代型号

型号 : MJD117T4G
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥6.76000
替代类型. : 参数等效
型号 : MJD117T4
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥5.88000
替代类型. : 直接