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GermanyZXMHN6A07T8TA
元器件型号详细信息
原厂型号
ZXMHN6A07T8TA
摘要
MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8
详情
MOSFET - 阵列 60V 1.4A 1.6W 表面贴装型 SM8
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
4 N 沟道（半桥）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.4A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
300 毫欧 @ 1.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.2nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
166pF @ 40V
功率 - 最大值
1.6W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-223-8
供应商器件封装
SM8
基本产品编号
ZXMHN6A07T8
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
ZXMHN6A07T8DKR
1034-ZXMHN6A07T8CT
1034-ZXMHN6A07T8TR
ZXMHN6A07T8CT
1034-ZXMHN6A07T8DKR
ZXMHN6A07T8TA-ND
ZXMHN6A07T8TR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Diodes Incorporated ZXMHN6A07T8TA
相关文档
规格书
1(ZXMHN6A07T8)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Devices EOL 05/Feb/2019)
PCN 设计/规格
1(Date Code Mark Update 13/Jan/2015)
价格
-
替代型号
-