IPD80R1K4CEATMA1

元器件型号详细信息

原厂型号

IPD80R1K4CEATMA1

摘要

MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3

详情

表面贴装型 N 通道 800 V 3.9A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

39 周

EDA/CAD 模型

标准包装

2,500

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

CoolMOS™

包装

卷带（TR）

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

800 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

3.9A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

1.4 欧姆 @ 2.3A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 240µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

23 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

570 pF @ 100 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

63W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO252-3

封装/外壳

TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

基本产品编号

IPD80R1

其它名称

SP001130972

IPD80R1K4CEATMA1-ND

IPD80R1K4CEATMA1TR

IPD80R1K4CEATMA1CT

IPD80R1K4CEATMA1DKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPD80R1K4CEATMA1

价格

数量: 12500

单价: $4.86046
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

数量: 5000

单价: $5.05032
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

数量: 2500

单价: $5.31613
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

数量: 1000

单价: $5.69587
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $7.2147
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $8.7338
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $11.201
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $12.56
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $5.69587
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $7.2147
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $8.7338
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $11.201
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $12.56
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : STD5N62K3

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 2,481
单价. : ¥9.78000
替代类型. : 类似

CPS22-NO00A10-SNCCWTNF-AI0BLVAR-W1009-S 895-015-520-101 DMN2044UCB4-7 CMR08F363JODR 170224-2

IPD80R1K4CEATMA1

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