元器件型号详细信息

原厂型号
BSP320SL6433HTMA1
摘要
MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 2.9A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
4,000

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
SIPMOS®
包装
卷带(TR)
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.9A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
120 毫欧 @ 2.9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 20µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
12 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
340 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.8W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-SOT223-4
封装/外壳
TO-261-4,TO-261AA

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

BSP320SL6433
BSP320S L6433DKR-ND
BSP320S L6433
BSP320S L6433CT
BSP320S L6433CT-ND
BSP320SL6433HTMA1TR
BSP320S L6433DKR
BSP320SL6433HTMA1DKR
BSP320SL6433HTMA1CT
SP000235376
BSP320S L6433TR-ND
BSP320S L6433-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies BSP320SL6433HTMA1

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价格

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