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GermanyCSD18510KCS
元器件型号详细信息
原厂型号
CSD18510KCS
摘要
MOSFET N-CH 40V 200A TO220-3
详情
通孔 N 通道 40 V 200A（Ta） 250W（Ta） TO-220-3
原厂/品牌
Texas Instruments
原厂到货时间
6 周
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
Texas Instruments
系列
NexFET™
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.7 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
75 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
11400 pF @ 20 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
250W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
CSD18510
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
296-47695
CSD18510KCS-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Texas Instruments CSD18510KCS
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规格书
1(CSD18510KCS Datasheet)
特色产品
1(Power Management)
制造商产品页面
1(CSD18510KCS Specifications)
HTML 规格书
1(CSD18510KCS Datasheet)
EDA 模型
1(CSD18510KCS by SnapEDA)
价格
数量: 10000
单价: $7.61283
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 5000
单价: $7.81316
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最小包装数量: 1
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包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
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制造商 : Infineon Technologies
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