元器件型号详细信息

原厂型号
NTF6P02T3G
摘要
MOSFET P-CH 20V 10A SOT223
详情
表面贴装型 P 通道 20 V 10A(Ta) 8.3W(Ta) SOT-223(TO-261)
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
65 周
EDA/CAD 模型
标准包装
4,000

技术参数

制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
50 毫欧 @ 6A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
20 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1200 pF @ 16 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
8.3W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-223(TO-261)
封装/外壳
TO-261-4,TO-261AA
基本产品编号
NTF6P02

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

NTF6P02T3GOS
NTF6P02T3GOS-ND
NTF6P02T3GOSCT
NTF6P02T3GOSTR
NTF6P02T3GOSDKR
=NTF6P02T3GOSCT-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/onsemi NTF6P02T3G

相关文档

规格书
1(NTF6P02, NVF6P02)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
()
PCN 设计/规格
1(Datasheet MSL Updated 2/April/2007)
PCN 组装/来源
1(Bond Wire 13/Nov/2020)
PCN 封装
1(Covering Tape/Material Chg 20/May/2016)
HTML 规格书
1(NTF6P02, NVF6P02)
EDA 模型
1(NTF6P02T3G by Ultra Librarian)

价格

数量: 12000
单价: $4.33921
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 4000
数量: 8000
单价: $4.50871
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 4000
数量: 4000
单价: $4.746
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 4000
数量: 2000
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最小包装数量: 1
数量: 1000
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包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
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包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $11.21
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : NVF6P02T3G
制造商 : onsemi
库存 : 10,950
单价. : ¥10.18000
替代类型. : 参数等效
型号 : STN4NF03L
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 17,164
单价. : ¥7.79000
替代类型. : 类似