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元器件型号详细信息
原厂型号
RT1C060UNTR
摘要
MOSFET N-CH 20V 6A 8TSST
详情
表面贴装型 N 通道 20 V 6A（Ta） 650mW（Ta） 8-TSST
原厂/品牌
Rohm Semiconductor
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
28 毫欧 @ 6A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
11 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
870 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
650mW（Ta）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-TSST
封装/外壳
8-SMD，扁平引线
基本产品编号
RT1C060
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
RT1C060UNDKR
RT1C060UNTRCT
RT1C060UNTRTR-ND
RT1C060UNTRTR
RT1C060UNTRCT-ND
RT1C060UNTRDKR
RT1C060UNTRDKR-ND
RT1C060UNCT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Rohm Semiconductor RT1C060UNTR
相关文档
规格书
1(RT1C060UN)
EDA 模型
1(RT1C060UNTR by Ultra Librarian)
价格
数量: 3000
单价: $1.75963
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
替代型号
-