元器件型号详细信息

原厂型号
IPB156N22NFDATMA1
摘要
MOSFET N-CH 220V 72A TO263-3
详情
表面贴装型 N 通道 220 V 72A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
40 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™FD
包装
卷带(TR)
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
220 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
72A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
15.6 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 270µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
87 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
6930 pF @ 110 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
300W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO263-3-2
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
基本产品编号
IPB156

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

2156-IPB156N22NFDATMA1
IPB156N22NFDATMA1TR
IPB156N22NFDATMA1DKR
IPB156N22NFDATMA1CT
IPB156N22NFDATMA1-ND
IFEINFIPB156N22NFDATMA1
IPB156N22NFD
SP001624408

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies IPB156N22NFDATMA1

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规格书
1(IPB156N22NFD)
HTML 规格书
1(IPB156N22NFD)
仿真模型
1(MOSFET N-Channel 200V Spice Model)

价格

数量: 2000
单价: $34.17174
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 1000
数量: 1000
单价: $35.48606
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 1000
数量: 500
单价: $40.74326
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $46.7892
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $56.516
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $62.57
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $40.74326
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

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