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GermanyGT60N321(Q)
元器件型号详细信息
原厂型号
GT60N321(Q)
摘要
IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
详情
IGBT 1000 V 60 A 170 W 通孔 TO-3P（LH）
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
1000 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
60 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
120 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.8V @ 15V，60A
功率 - 最大值
170 W
开关能量
-
输入类型
标准
25°C 时 Td（开/关）值
330ns/700ns
测试条件
-
反向恢复时间 (trr)
2.5 µs
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-3PL
供应商器件封装
TO-3P（LH）
基本产品编号
GT60N321
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/Toshiba Semiconductor and Storage GT60N321(Q)
相关文档
PCN 产品变更/停产
1(EOL 08/Nov/2013)
EDA 模型
1(gt60n321(q) by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
-