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GermanyTPN5R203PL,LQ
元器件型号详细信息
原厂型号
TPN5R203PL,LQ
摘要
MOSFET N-CH 30V 38A 8TSON
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 38A（Tc） 610mW（Ta），61W（Tc） 8-TSON Advance（3.1x3.1）
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
U-MOSIX-H
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
38A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.2mOhm @ 19A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 200µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
22 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1975 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
610mW（Ta），61W（Tc）
工作温度
175°C
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-TSON Advance（3.1x3.1）
封装/外壳
8-PowerVDFN
基本产品编号
TPN5R203
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
264-TPN5R203PLLQCT
264-TPN5R203PLLQDKR
264-TPN5R203PLLQTR
TPN5R203PL,LQ(S
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Toshiba Semiconductor and Storage TPN5R203PL,LQ
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规格书
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