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GermanyMSCMC120AM07CT6LIAG
元器件型号详细信息
原厂型号
MSCMC120AM07CT6LIAG
摘要
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6C LI
详情
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV） 264A（Tc） 1350W（Tc） 底座安装 SP6C LI
原厂/品牌
Microchip Technology
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1
供应商库存
技术参数
制造商
Microchip Technology
系列
-
包装
管件
Product Status
在售
技术
碳化硅（SiC）
配置
2 N 沟道（相角）
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
1200V（1.2kV）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
264A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8.7 毫欧 @ 240A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 60mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
690nC @ 20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
11400pF @ 1000V
功率 - 最大值
1350W（Tc）
工作温度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
SP6C LI
基本产品编号
MSCMC120
相关信息
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Microchip Technology MSCMC120AM07CT6LIAG
相关文档
规格书
1(MSCMC120AM07CT6LIAG)
环保信息
()
特色产品
1(Microchip Technology - Silicon Carbide Semiconductor Discrete Products)
PCN 组装/来源
1(Assembly Site 17/Jan/2023)
PCN 其他
1(Integration 13/May/2020)
价格
-
替代型号
-