元器件型号详细信息

原厂型号
IRFZ46NPBF
摘要
MOSFET N-CH 55V 53A TO220AB
详情
通孔 N 通道 55 V 53A(Tc) 107W(Tc) TO-220AB
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
100

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
管件
产品状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
53A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
16.5 毫欧 @ 28A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
72 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1696 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
107W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
IRFZ46

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

*IRFZ46NPBF
SP001571842

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies IRFZ46NPBF

相关文档

规格书
1(IRFZ46NPbF)
其他相关文档
1(IR Part Numbering System)
产品培训模块
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
特色产品
1(Data Processing Systems)
HTML 规格书
1(IRFZ46NPbF)
EDA 模型
()
仿真模型
1(IRFZ46NPBF Saber Model)

价格

数量: 10000
单价: $4.46815
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 5000
单价: $4.64268
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 2000
单价: $4.88705
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $5.23607
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $6.63234
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $8.0291
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $10.295
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $11.53
包装: 管件
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : IRFB3806PBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 4,308
单价. : ¥9.22000
替代类型. : 类似
型号 : STP45NF06
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 6,796
单价. : ¥13.67000
替代类型. : 类似
型号 : HUF75339P3
制造商 : onsemi
库存 : 172
单价. : ¥15.42000
替代类型. : 类似
型号 : STP55NF06
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 37,817
单价. : ¥12.88000
替代类型. : 类似
型号 : PHP191NQ06LT,127
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 3,261
单价. : ¥26.79000
替代类型. : 类似
型号 : HUF75344P3
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥24.25000
替代类型. : 类似
型号 : HUF75332P3
制造商 : onsemi
库存 : 543
单价. : ¥15.42000
替代类型. : 类似