元器件型号详细信息

原厂型号
IRLZ24NSPBF
摘要
MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 55 V 18A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) D2PAK
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
管件
产品状态
allaboutcomponents.com 停止提供
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
18A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
60 毫欧 @ 11A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
15 nC @ 5 V
Vgs(最大值)
±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
480 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
3.8W(Ta),45W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D2PAK
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

SP001552914
*IRLZ24NSPBF

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies IRLZ24NSPBF

相关文档

规格书
1(IRLZ24NSPbF, IRLZ24NLPbF)
其他相关文档
1(Part Number Guide)
产品培训模块
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 1/Apr/2019)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Alternate Assembly Site 11/Nov/2013)
PCN 封装
1(Package Drawing Update 19/Aug/2015)
PCN 零件状态变更
1(Mult Dev Tube Pkg Disc 12/Jun/2018)
HTML 规格书
1(IRLZ24NSPbF, IRLZ24NLPbF)
仿真模型
1(IRLZ24NS Saber Model)

价格

-

替代型号

型号 : STB16NF06LT4
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 130
单价. : ¥13.43000
替代类型. : 类似
型号 : BUK9675-55A,118
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 778
单价. : ¥10.65000
替代类型. : 类似
型号 : IRLZ24STRL
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似
型号 : PHB21N06LT,118
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 2,400
单价. : ¥7.79000
替代类型. : 类似
型号 : IRLZ24SPBF
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 0
单价. : ¥7.51609
替代类型. : 类似
型号 : RFD12N06RLESM9A
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥8.74000
替代类型. : 类似
型号 : IRLZ24STRR
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似