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GermanyBFG10W/X,115
元器件型号详细信息
原厂型号
BFG10W/X,115
摘要
RF TRANS NPN 10V 1.9GHZ 4SO
详情
RF 晶体管 NPN 10V 250mA 1.9GHz 400mW 表面贴装型 4-SO
原厂/品牌
NXP USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
NXP USA Inc.
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
晶体管类型
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）
10V
频率 - 跃迁
1.9GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）
-
增益
-
功率 - 最大值
400mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
25 @ 50mA，5V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
250mA
工作温度
175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-343 反向插针
供应商器件封装
4-SO
基本产品编号
BFG10
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
934036590115
BFG10W/X T/R-ND
954-BFG10W/X115
BFG10W/X T/R
2156-BFG10W/X115-NXTR
NXPNXPBFG10W/X,115
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极（BJT）/双极射频晶体管/NXP USA Inc. BFG10W/X,115
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规格书
1(BFG10W/X)
环保信息
()
PCN 封装
1(All Dev Label Update 15/Dec/2020)
HTML 规格书
1(BFG10W/X)
价格
-
替代型号
型号 : NSVF6003SB6T1G
制造商 : onsemi
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制造商 : Infineon Technologies
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型号 : 2SC5226A-4-TL-E
制造商 : onsemi
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单价. : ¥3.66000
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库存 : 53,414
单价. : ¥3.97000
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