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GermanySPW21N50C3FKSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
SPW21N50C3FKSA1
摘要
MOSFET N-CH 560V 21A TO247-3
详情
通孔 N 通道 560 V 21A（Tc） 208W（Tc） PG-TO247-3-1
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
240
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
560 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
21A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
190 毫欧 @ 13.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.9V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
95 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2400 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
208W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO247-3-1
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
SPW21N
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-SPW21N50C3FKSA1
IFEINFSPW21N50C3FKSA1
SPW21N50C3
SPW21N50C3IN
SPW21N50C3XTIN
SPW21N50C3XK
SPW21N50C3XTIN-ND
SP000014464
SPW21N50C3IN-ND
SPW21N50C3X
SPW21N50C3IN-NDR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies SPW21N50C3FKSA1
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规格书
1(SPW21N50C3)
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1(Mult Dev EOL 5/Sep/2019)
HTML 规格书
1(SPW21N50C3)
仿真模型
1(CoolMOS™ Power MOSFET 500V C3 Spice Model)
价格
-
替代型号
型号 : IPW60R180P7XKSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥34.10000
替代类型. : 类似
库存 : 0
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型号 : STW48N60M2
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单价. : ¥58.03000
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型号 : FCH165N60E
制造商 : onsemi
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型号 : IXKH24N60C5
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型号 : SIHG25N60EFL-GE3
制造商 : Vishay Siliconix
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单价. : ¥41.26000
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型号 : IXFR44N50Q3
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型号 : STW19NM50N
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库存 : 376
单价. : ¥55.09000
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型号 : STW28N60M2
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库存 : 600
单价. : ¥29.02000
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型号 : IXFH50N60P3
制造商 : IXYS
库存 : 2,719
单价. : ¥87.52000
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型号 : IXFH42N60P3
制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥73.37000
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型号 : IXTQ26N50P
制造商 : IXYS
库存 : 166
单价. : ¥57.95000
替代类型. : 类似
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