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GermanyPMWD19UN,518
元器件型号详细信息
原厂型号
PMWD19UN,518
摘要
MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP
详情
MOSFET - 阵列 30V 5.6A 2.3W 表面贴装型 8-TSSOP
原厂/品牌
NXP USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
NXP USA Inc.
系列
TrenchMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.6A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
23 毫欧 @ 3.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
700mV @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
28nC @ 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1478pF @ 10V
功率 - 最大值
2.3W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
供应商器件封装
8-TSSOP
基本产品编号
PMWD19
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
934057598518
568-2361-6
PMWD19UN518
PMWD19UN /T3
568-2361-1
568-2361-2
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/NXP USA Inc. PMWD19UN,518
相关文档
规格书
1(PMWD19UN)
环保信息
()
PCN 封装
1(All Dev Label Update 15/Dec/2020)
HTML 规格书
1(PMWD19UN)
价格
-
替代型号
-