元器件型号详细信息

原厂型号
NTGD4167CT1G
摘要
MOSFET N/P-CH 30V 2.6/1.9A 6TSOP
详情
MOSFET - 阵列 30V 2.6A,1.9A 900mW 表面贴装型 6-TSOP
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.6A,1.9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
90 毫欧 @ 2.6A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
5.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
295pF @ 15V
功率 - 最大值
900mW
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装
6-TSOP
基本产品编号
NTGD4167

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

其它名称

NTGD4167CT1GOSTR
Q13728537
NTGD4167CT1G-ND
NTGD4167CT1GOSCT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/FET、MOSFET 阵列/onsemi NTGD4167CT1G

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规格书
1(NTGD4167C)
环保信息
()
HTML 规格书
1(NTGD4167C)
EDA 模型
1(NTGD4167CT1G by Ultra Librarian)

价格

数量: 30000
单价: $1.5608
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 15000
单价: $1.64615
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 6000
单价: $1.76809
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 3000
单价: $1.89004
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 1000
单价: $2.07294
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $2.68262
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $3.4145
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $4.571
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $5.33
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1000
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $2.68262
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最小包装数量: 1
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数量: 10
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最小包装数量: 1
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

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