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元器件资讯
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BSM30GP60B2BOSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
BSM30GP60B2BOSA1
摘要
IGBT MODULE 600V 50A 180W
详情
IGBT 模块 全桥 600 V 50 A 180 W 底座安装 模块
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
10
供应商库存
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技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
托盘
产品状态
停产
IGBT 类型
-
配置
全桥
电压 - 集射极击穿(最大值)
600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
50 A
功率 - 最大值
180 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.45V @ 15V,30A
电流 - 集电极截止(最大值)
500 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
1.6 nF @ 25 V
输入
三相桥式整流器
NTC 热敏电阻
是
工作温度
-40°C ~ 125°C
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
模块
基本产品编号
BSM30G
相关信息
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
448-BSM30GP60B2BOSA1
SP000100421
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/IGBT 模块/Infineon Technologies BSM30GP60B2BOSA1
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