SIHP23N60E-GE3

元器件型号详细信息

原厂型号

SIHP23N60E-GE3

摘要

MOSFET N-CH 600V 23A TO220AB

详情

通孔 N 通道 600 V 23A（Tc） 227W（Tc） TO-220AB

原厂/品牌

Vishay Siliconix

原厂到货时间

69 周

EDA/CAD 模型

标准包装

50

供应商库存

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技术参数

制造商

Vishay Siliconix

系列

-

包装

管件

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

23A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

158 毫欧 @ 12A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

95 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

2418 pF @ 100 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

227W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-220AB

封装/外壳

TO-220-3

基本产品编号

SIHP23

其它名称

SIHP23N60E-GE3DKRINACTIVE

SIHP23N60E-GE3TR-ND

SIHP23N60E-GE3TRINACTIVE

SIHP23N60E-GE3DKR

SIHP23N60E-GE3DKR-ND

SIHP23N60E-GE3CT-ND

SIHP23N60E-GE3TR

SIHP23N60E-GE3CT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SIHP23N60E-GE3

价格

数量: 5000

单价: $12.41986
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 2000

单价: $12.905
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $13.58424
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $16.10698
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $18.9208
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $23.094
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $25.68
包装: 管件
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : SIHP23N60E-BE3

制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 999
单价. : ¥25.68000
替代类型. : 直接

型号 : IPP60R180C7XKSA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 388
单价. : ¥26.87000
替代类型. : 类似

型号 : AOT20S60L

制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
库存 : 3,000
单价. : ¥25.76000
替代类型. : 类似

型号 : SPP24N60C3XKSA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 188
单价. : ¥52.95000
替代类型. : 类似

型号 : STP21N65M5

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 19
单价. : ¥41.82000
替代类型. : 类似

型号 : IPP60R190P6XKSA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 19,412
单价. : ¥25.28000
替代类型. : 类似

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SIHP23N60E-GE3

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