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元器件型号详细信息
原厂型号
IRF6802SDTR1PBF
摘要
MOSFET 2N-CH 25V 16A SA
详情
MOSFET - 阵列 25V 16A 1.7W 表面贴装型 DIRECTFET™ SA
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
16A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.2 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 35µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
13nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1350pF @ 13V
功率 - 最大值
1.7W
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
DirectFET™ 等容 SA
供应商器件封装
DIRECTFET™ SA
基本产品编号
IRF6802
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IRF6802SDTR1PBFDKR
IRF6802SDTR1PBFCT
IRF6802SDTR1PBFTR
SP001529168
IRF6802SDTR1PBF-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Infineon Technologies IRF6802SDTR1PBF
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()
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1(Multiple Devices 20/Dec/2013)
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1(MSL Update 20/Feb/2014)
HTML 规格书
1(IRF6802SD (TR) PBF)
价格
-
替代型号
-