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GermanySQV120N10-3M8_GE3
元器件型号详细信息
原厂型号
SQV120N10-3M8_GE3
摘要
MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 120A（Tc） 250W（Tc） 28-SOIC
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.8 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
190 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
7230 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
250W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
28-SOIC
封装/外壳
28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
基本产品编号
SQV120
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SQV120N10-3M8_GE3
相关文档
规格书
1(SQV120N10-3M8)
PCN 产品变更/停产
1(SQV120Nyy 16/Nov/2021)
HTML 规格书
1(SQV120N10-3M8)
价格
-
替代型号
-