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GermanyDMN3033LSNQ-7
元器件型号详细信息
原厂型号
DMN3033LSNQ-7
摘要
MOSFET N-CH 30V 6A SC59
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 6A（Ta） 1.4W（Ta） SC-59-3
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
27 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
30 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
10.5 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
755 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.4W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SC-59-3
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本产品编号
DMN3033
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
DMN3033LSNQ-7DIDKR
-DMN3033LSNQ-7DIDKR
-DMN3033LSNQ-7DITR
DMN3033LSNQ-7DITR
-DMN3033LSNQ-7DICT
DMN3033LSNQ-7DICT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Diodes Incorporated DMN3033LSNQ-7
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1(DMN3033LSNQ)
环保信息
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HTML 规格书
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