English
Spain
Rusia
Italy
GermanyIRFU13N15D
元器件型号详细信息
原厂型号
IRFU13N15D
摘要
MOSFET N-CH 150V 14A IPAK
详情
通孔 N 通道 150 V 14A（Tc） 86W（Tc） IPAK（TO-251AA）
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
75
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
14A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
180 毫欧 @ 8.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
29 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
620 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
86W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
IPAK（TO-251AA）
封装/外壳
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
相关信息
RoHS 状态
不符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRFU13N15D
相关文档
规格书
1(IRFR13N15D, IRFU13N15D)
其他相关文档
1(IR Part Numbering System)
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(EOL122B 02/Oct/2007)
HTML 规格书
1(IRFR13N15D, IRFU13N15D)
价格
-
替代型号
-