元器件型号详细信息

原厂型号
FCA20N60
摘要
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
详情
通孔 N 通道 600 V 20A(Tc) 208W(Tc) TO-3PN
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
30

技术参数

制造商
onsemi
系列
SuperFET™
包装
管件
产品状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
190 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
98 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3080 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
208W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-3PN
封装/外壳
TO-3P-3,SC-65-3
基本产品编号
FCA20

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

2832-FCA20N60-488
FCA20N60_NL
FCA20N60_NL-ND
2832-FCA20N60
FCA20N60-NDR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/onsemi FCA20N60

相关文档

规格书
1(FCH20N60, FCA20N60(_F109))
环保信息
()
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Assembly/Test Site 14/Dec/2022)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(FCH20N60, FCA20N60(_F109))
EDA 模型
1(FCA20N60 by Ultra Librarian)

价格

数量: 450
单价: $33.52516
包装: 管件
最小包装数量: 450

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