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GermanyDF650R17IE4BOSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
DF650R17IE4BOSA1
摘要
IGBT MOD 1700V 930A 4150W
详情
IGBT 模块 单路 1700 V 930 A 4150 W 底座安装 模块
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
PrimePACK™2
包装
托盘
Product Status
不适用于新设计
IGBT 类型
-
配置
单路
电压 - 集射极击穿（最大值）
1700 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
930 A
功率 - 最大值
4150 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.45V @ 15V，650A
电流 - 集电极截止（最大值）
5 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
54 nF @ 25 V
输入
标准
NTC 热敏电阻
是
工作温度
-40°C ~ 150°C
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
模块
基本产品编号
DF650R17
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SP000614728
2156-DF650R17IE4BOSA1
DF650R17IE4
INFINFDF650R17IE4BOSA1
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/IGBT 模块/Infineon Technologies DF650R17IE4BOSA1
相关文档
规格书
1(DF650R17IE4)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Source Add 10/Sep/2018)
HTML 规格书
1(DF650R17IE4)
价格
数量: 3
单价: $4030.78667
包装: 托盘
最小包装数量: 3
包装: 托盘
最小包装数量: 3
替代型号
型号 : FD650R17IE4BOSA2
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥4,030.78667
替代类型. : 参数等效
库存 : 0
单价. : ¥4,030.78667
替代类型. : 参数等效